В России создали новый вид оперативной памяти

Российские учёные из Московского физико-технического института совместно с коллегами из Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН и Международной ассоциированной лаборатории LIA LICS рассказали о своём новом изобретении - магнито-электрической памяти. Не для кого не секрет, что одним из важных составляющих любой вычислительной техники, будь то компьютер, смартфон или даже смарт часы, является оперативная память.

Сейчас используется динамическая полупроводниковая память RAM, каждая ячейка которой состоит из транзисторов и работает по принципу открытия и закрытия доступ к конденсатору (заряд есть = 1, заряда нет = 0). Ячейки магнитно-электрической памяти (MELRAM) состоят из двух элементов: пьезоэлектрическая подложка, отвечающая за деформацию по поступлению разряда и магнитоупорная слоистая структура, которая имеет два магнитных направления (1 и 0).

Преимуществом MELRAM является сохранение текущего состояния даже при отключении от сети, что в свою очередь повышает энергопроизводительность в тысячи раз и скорость запуска устройства. Пока неизвестно когда будет выпущен полноценный рабочий образец и какой формфактор будет иметь данный вид памяти.